نرم شدگی فونون های انرژی بالا با گذار عایق - ابررسانا در سیستم ابررسانای Ba۱-xKxBiO۳
محل انتشار: مجله پژوهش فیزیک ایران، دوره: 10، شماره: 2
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 13
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-10-2_010
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1402
چکیده مقاله:
تک بلورهای ترکیب شیمیایی Ba۱-xKxBiO۳ برای مقادیر ۰ < x < ۰.۶ شامل ترکیبات ابررسانا و عایق با روش الکتروشیمیایی رشد داده شد. بلورهای رشد داده شده توسط آزمایش های پرتو ایکس پودری و لاوه به منظور تعیین ساختار بلوری، فازهای تشکیل شده و مقدار پتاسیم در ترکیب مشخصه یابی شدند. نوارهای فونونی این سیستم با روش پراکندگی ناکشسان پرتو ایکس اندازه گیری و بستگی آنها به مقدار پتاسیم و اندازه حرکت بلوری بررسی شد. با افزایش مقدار پتاسیم نوارهای فونونی با انرژی پایین تقریبا ثابتند در حالی که نوارهای با انرژی بالا به انرژی های بالاتر منتقل می شوند. افزایش قابل توجهی در مقدار انرژی فونونهای با انرژی بالا به همراه یک نرم شدگی فونونی در هنگام گذار عایق- ابررسانا با افزایش مقدار پتاسیم مشاهده شده است. این نرم شدگی ناهنجار شاهدی تجربی برای وجود برهم کنش قوی الکترون - فونون و نقش آن در تشکیل حالت ابررسانایی در این سیستم است.
کلیدواژه ها: