بررسی تاثیر تابش لیزر بر خواص الکتریکی و ساختاری لایه های نازک ZnO
محل انتشار: مجله پژوهش فیزیک ایران، دوره: 12، شماره: 4
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 60
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-12-4_006
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1402
چکیده مقاله:
در این مقاله لایه نازک ZnO به روش سل ژل بر روی زیرلایه شیشه ساخته شده است. لایه های اولیه ابتدا در دمای ۱۰۰ و ˚C ۲۴۰ خشک و سپس در دماهای ۳۰۰ ، ۴۰۰ و ˚C ۵۰۰ پخت شده اند. اندازه گیری مقاومت دو نقطه ای نشان می دهد که مقاومت الکتریکی لایه های آماده شده، بسیار زیاد است. تابش پرتو لیزر اگزایمر KrF ( ۲۴۸nm = λ ) با تعداد پالس ۱۰۰۰ ، فرکانس ۱Hz و انرژی ۹۰mJ/cm۲ بر سطح لایه باعث کاهش مقاومت الکتریکی لایه می شود. طیف پراش پرتو ایکس ( XRD ) بهبود ساختار هگزاگونال ورتسایت لایه را تایید می کند، و آنالیز AFM و FE-SEM شکل گیری منظم و دایروی دانه ها بر سطح لایه را نشان داد. اندازه ذرات بعد از تابش لیزر از ۱۰nm ~ به ۳۰nm ~ افزایش پیدا می کند. به طور کلی، نشان داده شده است که، ویژگی های ساختاری، الکتریکی و مورفولوژی لایه ها با تابش لیزر به طور قابل ملاحظه ای بهبود می یابد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فاطمه اسکندری
دانشگاه صنعتی اصفهان
مهدی رنجبر
دانشگاه صنعتی اصفهان
پرویز کاملی
دانشگاه صنعتی اصفهان
هادی سلامتی
دانشگاه صنعتی اصفهان