اثر میدان الکتریکی بر روی نقطه کروی کوانتومی GaAs/AlAs با ناخالصی هیدروژنی جایگزیده در مرکز

در این تحقیق اثر میدان الکتریکی یکنواخت را روی انرژی حالت پایه نقاط کوانتومی کروی GaAs/AlAs با استفاده از مدل پتانسیل نامحدود مورد مطالعه قرار داده ایم. برای میدان های الکتریکی قوی، تغییرات انرژی حالت پایه اثر اشتارک تقریبا به طور خطی با ازدیاد میدان الکتریکی افزایش می یابد . در حضور میدان های الکتریکی ضعیف برای محاسبه انرژی بستگی بهنجار از روش اختلالی در تقریب جرم موثر استفاده نمودیم. این انرژی بر حسب تابعی از شدت میدان الکتریکی بررسی و مطالعه شده است. مطالعات نشان می دهد که انتخاب مناسب شعاع نقطه و میدان الکتریکی بر انرژی بستگی بهنجار شده اثر محسوسی خواهد گذاشت. در نتیجه این اثرات برای تغییرات کوجک در شعاع نقطه کوانتومی و تشخیص قدرت میدان های الکتریکی مختلف می تواند مورد استفاده قرار گیرد.