کلید تمامنوری غیرخطی با ساختار تداخلی ساگناک مبتنی بر تقویتکننده نوری نیم رسانا و آثار متقابل پالسهای خلاف جهت

در این مقاله ساختار تداخلی ساگناک بر پایهی اثرات متقابل پالسهای خلاف جهت فوق باریک درتقویتکننده نوری نیم رسانا مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. با استفاده از مدلی جامع،معادله شرودینگر غیرخطی تعمیم یافته با در نظر گرفتن کلیه پدیدههای غیرخطی در حوزه زیرقله و ثانیه از جمله پراش سرعت گروه( GVD )، تغییرات غیرخطی بهره و ضریب شکست،سوختگی طیفی( SHB )، داغشدگی حامل( CH ) و جذب دو فوتونی( TPA ) برای انتشار پالس درتقویتکننده نوری نیم رسانا به کار گرفته شده است. با استفاده از مدل اشاره شده برای اولین بارآهنگ کلید زنی را در درگاه خروجی مورد نظر به آهنگ ۱۶۷ Gb/s از میان رشته داده با آهنگ۶۶۷ Gb/s رساندهایم. همچنین تاثیر بهره سیگنال کوچک (غیر اشباع) تقویتکننده، پهنا و انرژیپالس کنترل بر عملکرد کلید بررسی شده است.