بررسی خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمام هویسلر Ti۲ScGeبا استفاده از نظریه تابعی چگالی
محل انتشار: دوفصلنامه اپتوالکترونیک، دوره: 4، شماره: 2
سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 48
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PHYS-4-2_005
تاریخ نمایه سازی: 15 آذر 1402
چکیده مقاله:
خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمام هویسلر Ti۲ScGe با استفاده از نظریه تابعی چگالی مورد بررسی و مطالعه قرار گرفت. اولین چیزی که باید مورد بررسی قرار بگیرد ساختار پایدار برای ترکیب تمام هویسلر است که بعد از بررسی های به عمل آمده، ساختاری با عنوان نوع a در حالت فرومغناطیس در نظر گرفته شد. این ترکیب برای اولین بار در این مقاله مورد مطالعه قرار گرفته است و در شرایط مورد بررسی، به عنوان یک نیم فلز فرومغناطیس با گاف نیم فلزی به اندازه ۴/۰ الکترون ولت شناخته شد. این ترکیب چند فاکتور مورد قبول برای کاربردی بودن در ساخت ابزار اسپینترونیک دارد. از جمله آنها، خاصیت نیم فلزی، دمای کوری بالا در حدود ۱۰۸۶ کلوین، پایدار بودن آن در حالت فرومغناطیس و پیروی از قانون اسلیتر-پایولینگ است. همچنین بررسی خواص اپتیکی نشان داد که ترکیب تمام-هویسلر Ti۲ScGeمی تواند به عنوان جاذب امواج نیز مورد مطالعه بیشتر قرار بگیرد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فاطمه کرمی
گروه فیزیک، دانشگاه فنی حرفه ای خرم آباد
سارا محمدی بیلانکوهی
گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، ایران
حسین غفوریان
گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :