بررسی اثر ضخامت زیرلایه بر جذب تک لایه های TMDC در ناحیه طول موج مرئی
محل انتشار: دوفصلنامه اپتوالکترونیک، دوره: 2، شماره: 2
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 59
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PHYS-2-2_006
تاریخ نمایه سازی: 15 آذر 1402
چکیده مقاله:
لایه های دوبعدی دی کالکوجنایدهای فلزات واسطه (TMDC) با گاف های نواری مستقیم، افق جدیدی در کاربری این مواد در فوتونیک و الکترواپتیک ایجاد کرده است. وجود گاف نواری باعث جذب اپتیکی چشمگیر این لایه ها در دستگاه های فوتوولتاییک می شود. قرارگیری این لایه ها روی زیرلایه به علت بازتاب های متوالی، بر طیف جذب اثر می گذارد. به طور متداول، از SiO۲ یاSi و یا ترکیب آنها به عنوان زیرلایه برای این تک لایه ها استفاده می شود. در این مقاله با استفاده از روش ماتریس انتقال، طیف جذب تک لایه های TMDC شامل MoSe۲، WSe۲،MoS۲ و WS۲ با حضور زیرلایه SiO۲یاSi و یا دوتایی SiO۲/Si با ضخامت های مختلف لایه SiO۲ بررسی شد. ضخامت ۹۰ نانومتر لایه SiO۲ در زیرلایه دوتایی به عنوان ضخامت بهینه انتخاب شد؛ چرا که روند کلی جذب را تغییر نمی دهد و باعث افزایش جذب در بعضی نواحی طول موجی می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
نرگس انصاری
دانشگاه الزهرا
فریناز قربانی
گروه فیزیک، دانشکده فیزیک-شیمی، دانشگاه الزهرا، تهران، ایران
انسیه محبی
دانشگاه الزهرا
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :