مدلسازی و شبیه سازی آرایه های فتوولتائیک

این مقاله روشی برای مدل سازی و شبیه سازی آرایه های فتوولتائیک پیشنهاد می کند. هدف اصلی یافتن پارامترهای معادله غیرخطیI-V با تنظیم منحنی در سه نقطه است: مدار بازه حداکثر توان و اتصال کوتاه. با توجه به این سه نقطه، که توسط تمام داده های آرایهتجاری ارائه شده انده این روش بهترین معادله I-V را برای مدل فتوولتائیک تک دیودی (PV )شامل اثر مقاومت های سری و موازیپیدا می کند و تضمین می کند که حداکثر توان مدل با حداکثر توان آرایه واقعی مطابقت دارد. با پارامترهای معادله I-V تنظیم شده،می توان یک مدل مدار فتوولتائیک با هر شبیه ساز مدار با استفاده از بلوک های ریا ضی پایه ساخت. روش مدل سازی و مدل مدارپیشنهادی برای طراحان الکترونیک قدرت که به یک روش مدل سازی ساده سریع دقیق و با کاربری آسان برای استفاده درشبیه سازی سیستم های فتوولتائیک نیاز دارنه مفید است. در صفحات اول، خواننده یک آموزش در مورد دستگاه های فتوولتاتیک پیدامی کند و پارامترهایی که مدل فتوولتائیک تک دیود را تشکیل می دهند را درک می کند. سپس روش مدل سازی به تفصیل معرفی وارائه می شود. این مدل با داده های تجربی آرایه های فتوولتائیک تجاری تایید شده است.