بررسی محاسبه دوز اشعه ایکس منفعل با فرکانس رادیویی به کمک ترانزیستور اثر میدان اکسید آلی حساس به تشعشع

الکترونیک انعطاف پذیر پتانسیل فوق العاده ای را برای شکل دادن به زندگی انسان برای راحتی و لذت بیشتر پیشنهاد کرده است. تلاش های شدیدی به توسعه فن آوری های ترانزیستور اثر میدانی آلی انعطاف پذیر برای نمایشگرهای قابل چرخش، کارت های هوشمند خم شونده، حسگرهای انعطاف پذیر و پوسته های مصنوعی اختصاص یافته است؛ با این حال، این کاربردها به دلیل عدم وجود پشته های استاندارد مواد با کارایی بالا و همچنین فناوری های تولید بالغ، هنوز در مرحله نوپایی هستند. دزیمتری پرتو ایکس توزیع شده در مناطق امنیتی مختلف با اثرات زیست محیطی و انسانی قابل توجه مانند مدیریت زباله های هسته ای، رادیوتراپی یا دستگاه های حفاظت رادیویی بسیار مهم است. یک سیستم تشخیص دزیمتری سریع و بی درنگ مبتنی بر ترانزیستورهای لایه نازک اکسید انعطاف پذیر ارائه شده است که تغییر کمی در ولتاژ آستانه تا ۳.۴ ولت بر خاکستری را پس از قرار گرفتن در معرض تابش یونیزان نشان می دهد؛ ترانزیستورها از ایندیم-گالیم-روی-اکسید به عنوان نیمه هادی و یک دی الکتریک چندلایه بر پایه اکسید سیلیکن و اکسید تانتالیم استفاده می کنند. اندازه گیری ها نشان می دهد که تغییر ولتاژ آستانه ناشی از تجمع بار یونیزاسیون مثبت در لایه دی الکتریک به دلیل جذب فوتون با انرژی بالا در دی الکتریک بالا Z است. تحرک بالا همراه با شیب زیرآستانه تند ترانزیستور امکان بازخوانی سریع، قابل اعتماد و فوق العاده کم دوز تابش رسوبی را فراهم می کند. تغییرات مرتبه ای در امپدانس کانال ترانزیستور پس از قرار گرفتن در معرض تابش، استفاده از برچسب سنسور شناسایی فرکانس رادیویی منفعل کم هزینه را برای بازخوانی آن ممکن می سازد؛ به این ترتیب، یک حسگر غیرفعال، قابل برنامه ریزی و بی سیم نشان داده می شود که در زمان واقعی مقدار بیش از حد تابش بحرانی را گزارش می کند.