رانش ولتاژ آستانه در ترانزیستور اثر میدانی انتخابی یونی حساس به غلظت یون هیدروژن و رانش درخشندگی در دیود نورگسیل آلی: نقش نفوذ پاشنده

پدیده رانش در ترانزیستور اثر میدانی انتخابی یونی حساس به غلظت یون هیدروژن (حساس به میزان pH) و در دیود نورگسیل آلی منجر به ناپایداری در نقطه کار می شود. در ترانزیستور اثر میدانی انتخابی یونی حساس به میزان pH، رانش به صورت تغییر زمانی یکسویه و کند در ولتاژ آستانه هدایت ترانزیستور، و در نتیجه، تغییر در جریان dc قطعه مشاهده می شود. در دیود نورگسیل آلی، رانش به صورت کاهش درخشندگی قطعه با گذشت زمان ظاهر میشود. رانش نقطه کار در دو قطعه بر اساس سازوکار نفوذ، موسوم به نفوذ پاشنده توصیف می شود که شامل پرش بین حالت های انرژی تله ها می باشد. تغییرات پدیده رانش نسبت به زمان در این دو قطعه مشابه یکدیگر است که ناشی از رفتار مشخصه ضریب نفوذ پاشنده است. این تغییرات نسبت به زمان با قانون توان به صورت 〖(t)〗^(β-۱) بیان میشود؛ که پارامتر β مشخصه نفوذ پاشنده است و در گستره ۰<β<۱ قرار دارد. در دیود نورگسیل آلی، تبعیت ضریب نفوذ پاشنده از قانون توان منجر به زوال نمایی کشیده درخشندگی میشود. در این مقاله مدلی فیزیکی برای پدیده رانش در دیود نورگسیل آلی ارائه شده است، که تغییرات درخشندگی را با زمان به صورت کمی و با دقتی بالا بیان می کند.