3D simulations of coupled InAs/GaAs quantum dots energy levels using the finite element method
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 2,298
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
FEMAP01_014
تاریخ نمایه سازی: 31 فروردین 1392
چکیده مقاله:
In this work the effect of spacer variations between two 10nm coupled InAs/GaAs quantum dots (QDs) on the energy eigenvalues and envelop functions were investigated in detail. With considering wetting layer and a finite potential barrier, the Schrödinger equation was solved numerically by finite element method (FEM). The results show every energy level split into two levels when QDs are closed together. However with increasing the spacer, split levels are unified at approximately 30nm.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Mohammad Sabaeian
Department of Physics, Faculty of Science, Shahid Chamran University of Ahvaz, Ahvaz, Iran
Ali Khaledi-Nasab
Department of Physics, Faculty of Science, Shahid Chamran University of Ahvaz, Ahvaz, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :