Novel Drain Recessed Oxide SOI-MOSFET For Reduction of Short-Channel-Effects
سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 41
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_CSE-2-2_008
تاریخ نمایه سازی: 5 اسفند 1402
چکیده مقاله:
Since the device performance is degraded with the elapsed time, it is essential to develop the novel device for enhancing the reliability. Hence, a modification inside the drain region of the SOI-MOSFET structure has been performed. A region oxide has been recessed in the drain in order to modify the electric field owing to dielectric permittivity change. The simulation results obtained by SILVACO showed the improvement of the short-channel effects in the terms of drain-induced barrier lowering, hot-carrier effects and threshold voltage fluctuation as compared to the conventional structure.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Mohammad Kazem Anvarifard
Department of Engineering Sciences, Faculty of Technology and Engineering, East of Guilan, University of Guilan, Rudsar-Vajargah, Iran.
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :