Performance Analysis of a Steep-Slope Bi-channel GaSb-GaAs Extended Source Tunnel Field Effect Transistor with Enhanced Band-to-Band Tunneling Current
سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 31
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JAREE-2-2_010
تاریخ نمایه سازی: 18 اسفند 1402
چکیده مقاله:
This paper presents a comprehensive investigation of the electrical properties of a heterojunction tunnel field effect transistor with enhanced electrical tunneling current. The proposed device structure incorporates an extended source region and two parallel channels positioned above and below the source region. This configuration effectively amplifies the tunneling area, leading to a significant improvement in the on-state current. Moreover, the inclusion of an embedded oxide region between the source and drain regions confers the device with a high resistance to short channel effects. The combination of materials in both the source and channel region results in a staggered band alignment at the tunneling junction. This specific configuration leads to a lower threshold voltage for the initiation of tunneling. The impact of critical design parameters on the device performance has been thoroughly examined. A ۲D variation matrix has been developed to compute the threshold voltage and on-state current variation based on the source doping density and gate workfunction, which serve as essential design parameters to optimize the electrical performance of the device. Furthermore, the device has achieved a unity current-ratio frequency of ۳۰۰ GHz indicating its suitability for high-frequency applications. Additionally, the proposed structure provides an on-state current of ۲.۲۴×۱۰-۴ (A/µm), an off-state current of ۱.۲۴×۱۰-۱۵ (A/µm), an on/off current ratio of ۱.۸۱×۱۰۱۱, and a subthreshold swing of ۵ (mV/dec). These characteristics make the device viable for energy-efficient, high-speed digital circuits.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Zahra Ahangari
Department of Electronic, Yadegar- e- Imam Khomeini (RAH) Shahr-e-Rey Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :