بررسی اثر TID ناشی از باریکه الکترون شتاب دهنده رودوترون بر مشخصه I-V قطعات SMD و محاسبه معادل عمر مداری قطعات در مدارLEO با استفاده از نرم افزار OMERE

با گسترش علم الکترونیک و به روز شدن مدارهای الکترونیکی، طراحی ها به سمت استفاده از قطعات اس ام دی و ریز پیش می روند. در این گزارش اثر باریکه الکترون بر قطعات SMD بررسی می شود. برای بررسی اثر باریکه الکترون، بر قطعات الکترونیکی از شتاب دهنده رودوترون با انرژی ۱۰ MeV استفاده شد. در دمای ثابت و تابش های مختلف، رابطه I-V هر دیود و ترانزیستور اندازگیری شد. دزهای ۲۰kGy، ۱۰kGy و ۳۰kGy روی قطعات الکترونیکی اعمال شد. بخشی از قطعات بدون حفاظ در مقابل بیم الکترون قرار گرفته شد وسپس مقابل یک ترانزیستور و دیود حفاظ قرار دادیم و نتایج ثبت شد. یکی از مسائل مهمی که باید در طراحی سامانه های فضایی مد نظر قرار گیرد، توجه به اختلاف محیط زمینی با محیط فضا می باشد. این مسئله باعث تغییر در طراحی شده و بر همه زیر سیستم های سامانه فضایی تاثیر می گذارد. شار ذرات یونیزان فضایی با توجه به طول و عرض جغرافیایی زمین، ارتفاع از سطح زمین، آغاز ماموریت، و بازه زمانی آن تغییرات قابل توجهی دارد. در مدار GEO این مسئله به دلیل وجود شار به طور نسبی زیاد الکترون های به دام افتاده در کمربندهای خارجی وان آلن اهمیت بسیاری دارد. در این مقاله قصد داریم با استفاده از نرم افزار OMERE پارامترهای آسیب پرتویی مربوط به ماهواره ای که در مدار LEO قرار دارد، و همچنین اثر الکترون روی قطعات الکترونیکی را بررسی کنیم. در این آزمایش قطعات در ولتاژهای مختلف تست شده است. در قسمت شبیه سازی اثر حفاظ با ضخامت های مختلف و هندسه متفاوت ، شار معادل از شتاب دهنده الکترون در هدف سیلیکونی بر اساس زاویه میل مداری و ارتفاع بررسی می شود.