طراحی و ساخت یک جاذب پهن باند ستاره ای شکل با مقاومتهای SMD

در این مقاله یک جاذب مداری آنالوگ نوین براساس سطوح انتخابگر فرکانسی(FSS) با ۸ المان فشرده مقاومت SMD طراحی، شبیه سازی، ساخت و اندازه گیری شده است. این ساختار ارائه شده برای جذب خوب ۱۰dB دارای پهنای باند ۱۰۷ درصد بوده که از فرکانس ۸.۷GHz تا ۲۸.۷GHz (باندهای X، KU و K) را پوشش میدهد. این جاذب نوین ارائه شده دارای پایداری زاویه ای تابشی ۴۰درجه برای پلاریزاسیون TE و ۳۰ درجه برای پلاریزاسیون TM بوده که در مقایسه با دیگر ساختارها، پایداری زاویه خیلی خوبی به حساب میآید. کل ضخامت نمونه ساخته شده و اندازه گیری شده جاذب، ۳.۹۶ میلی متر است. این مقاله در حقیقت یک جاذب FSS تلفاتی نوین را ارائه کرده است که در دو بعد با شکب ستاره ای در هرسلول ساخته شده است که در هر سلول ۸ المان مقاومتی وجود دارد. با تغییر دادن ابعاد مقادیر مقاومتهای SMD می توان پارامترها و فرکانس کاری جاذب را تغییر داد. این ساختار که متشکل از چندین سلول شده است ساخته شده و از روش موجبری که از روشهای ساده و قابل دسترسی است، جهت اندازه گیری استفاده شده است.