طراحی یک مبدل دیجیتال به آنالوگ از نوع هدایت جریانی در فن آوری ۱۸۰ نانومتر سی ماس

در این مقاله، یک ساختار برای مبدل دیجیتال به آنالوگ از نوع هدایت جریانی ارائه می شود. تعداد بیت های مبدل برابر ۱۰ بیت درنظر گرفته شده است. در ساختار پیشنهادی از مدار کلاس AB به عنوان بافر استفاده شده است. این ساختار باعث کاهش توان مصرفی و افزایش سرعت می شود. از طرفی ساختار منبع جریان دقیقی با مقاومت خروجی بالا ارائه می شود. هدف طراحی مبدل دیجیتال به آنالوگ به گونه ای است که مقدار پارامتر SFDR بیشتر از ۷۰ دسیبل باشد. مبدل داده پیشنهادی توسط نرم افزار HSPICE شبیه سازی می شود. در این طراحی ۶ بیت کم ارزش به صورت باینری و ۴ بیت آخر باارزش به صورت کد دماسنجی پیاده سازی می شود.