تاثیر مهندسی ماده کاتد بر مشخصه های الکتریکی افزاره نوین ترانزیستور گسیل میدانی خلاء نانومتری

دراین مقاله، تاثیر مهندسی ماده کاتد بعنوان یک پارامتر مهم ساختاری و فیزیکی در طراحی بهینه ترانزیستور گسیل میدانی خلاء نانومتری ارائه و بررسی می شود. نتایج محاسبات نشان می دهند، با به کارگیری مواد مختلف و کاهش تابع کار کاتد ازeV ۵/۶۵ (پلاتین) تا eV ۴/۲۸ (آلومینیم)، جریان آند افزایش چشمگیر در حدود ۱۴۴% یافته است درحالیکه ولتاژ آستانه افزاره به بیش از نصف کاهش می یابد. فرکانس کاری افزاره با کاهش تابع کار کاتد، حدودا ۱/۶۳ تراهرتز بدست آمده که بیانگر عملکرد چشمگیر افزاره در کاربردهای فرکانس بالا است. مشخصه های الکتریکی دیگر نظیر Ion/Ioff، VTH و gm هم محاسبه و تغییر آنها با مهندسی ماده کاتد بررسی شده است. این بررسی می تواند زمینه ساز ظهور نسل جدیدی از ترانزیستورهای سریع با توان پایین برای کاربردهای دیجیتال باشد.