بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدی به کمک حل عددی معادلات نفوذ- رانش CIGS
محل انتشار: پنجمین کنفرانس نیروگاههای برق
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 889
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EPGC05_019
تاریخ نمایه سازی: 14 مهر 1392
چکیده مقاله:
با توجه به نقش سلولهای خورشیدی به عنوان یک منبع انرژی تجدیدپذیر پایدار، در این مقاله به بررسی میپردازیم. در ابتدا روش حل عددی معادلات نفوذ-رانش برای این دسته CIGS عملکرد یک سلول خورشیدی فیلم نازک به ازای ،Ga به غلظت CIGS ساختارهای فراپیوند شرح داده میشود. همچنین با توجه به وابستگی گاف انرژی سلولهای برای دستیابی به بیشترین بازده ارائه CIGS پارامترهای سلول ترسیم میشوند و مقدار گاف انرژی سلول Ga مقادیر متفاوت میگردد. در پایان نیز مشخصه جریان- ولتاژ سلول با گاف انرژی بهینه رسم میشود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
عبدالنبی کوثریان
دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی
فاطمه تحویلزاده
دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :