مطالعه اثر دما روی خواص اپتوالکتریکی و ساختاری لایه های نازک اکسید قلع به روش اقتصادی نهشت بخار شیمیایی
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 642
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
THINFILM01_041
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1392
چکیده مقاله:
ما از روش جدید و بهینه شده نهشت بخار شیمیایی برای ساخت لایه های اکسید قلع استفاده نمودیم. این روش بسیار ساده و کم هزینه می باشد و فیلم هایی با خواص خوب الکتریکی جهت کاربردهای سنسوری تولید می کند. اثر دمای زیرلایه روی مقاونت سطحی،مقاومت،موبیلیتی و غلظت حامل و شفافیت فیلمها مطالعه شد. بهترین مقاومت سطحی در دمای زیرلایه 500C حدود 27/Ω بدست آمد. پراش پرتو X نشان داد که ساختار فیلمهای تولید شده پلی کریستال با اندازه دانه بین 300-100 A است. جهت ترجیحی برای فیلمهای لایه نشانی شده در دمای 500C، (211) است. تصاویر FESEM بدست آمده نشان داد که دمای زیرلایه فاکتور مهمی در افزایش اندازه دانه و بهبود خواص الکتریکی است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مسعوده ملکی
آزمایشگاه CVD ، گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه گیلان
سید محمد روضاتی
آزمایشگاه CVD ، گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه گیلان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :