بررسی تغییرات ضخامت لایه جاذب و شکاف باند در عملکرد سلول خورشیدی CIGS
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,405
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
STSEE01_006
تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1392
چکیده مقاله:
تکنولوژی سلولهای خورشیدی فیلم نازک بر اساس لایه نشانی روی بسترهای شیشه ای، فلزی یا پلیمری در ضخامت های 3میکرومتر تا 5 میکرومتر می باشد. این سلولها به صورت ورقه های نازک می باشند که روی یک بستر ارزان قیمت ساخته می شوند. سلولهای خورشیدی CIGSیکی از انواع سلولهای خورشیدی فیلم نازک می باشد که در بین این گروه از سلولها از بازده بالاتری برخوردار است. در حال حاضربیشترین بازده به دست آمده برای این سلول 2.03 % می باشد. در این مقاله تغییرات ضخامت لایه جاذبCIGS و تغییرات شکاف باند توسط نرم افزارSILVACO مورد بررسی قرار گرفته و حالت بهینه مورد ارزیابی قرار گرفته است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محدثه موسوی تبار
دانشجووی کارشناسی ارشد گروه علمی مهندسی برق و الکترونیک
احمد عفیفی
گروه مهندسی برق الکترونیک
امیر حسین سالمی
عضو هیات علمی دانشکده فنی مهندسی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :