بررسی تأثیر قطبش جریان الکترونی تزریق شده بر کاهش چگالی جریان آستانه یک لیزرچاه کوانتومی اسپین قطبیده با استفاده از حل عددی معادلات نرخ آن

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 870

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCOLE03_164

تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1392

چکیده مقاله:

یکی از مکانیسم های کاهش چگالی جریان آستانه استفاده از حامل های اسپین قطبیده تولید شده توسط تزریقالکتریکی اسپین است. منظور از تزریق الکتریکی اسپین، تزریق حامل های اسپین قطبیده از طریق اتصال مغناطیسیاست. در مقاله حاضر قصد داریم به حل عددی معادلات نرخ یک لیزر نیمه رسانای اسپین قطبیده با ناحیه فعال چاه کوانتومی In0.2 Ga0.8 As بپردازیم که در آنها حامل های اسپین قطبیده از طریق یک اتصال شاتکی Fe/Al0.1Ga0.9As به ناحیه فعال لیزر تزریق می شوند. در آخر به محاسبه عددی دو پیامد مهم و اصلی تزریق اسپینقطبیده، کاهش چگالی جریان آستانه و بازه اسپین فیلترینگ بهنجار شده، برای بازترکیبهای خودبخودی خطی و درجه دوم خواهیم پرداخت. در انتها برای اولین بار تأثیر همزمان اندازه قطبش جریان الکترونی تزریق شده و نسبت واهلشاسپینی بهنجار شده را روی کاهش چگالی جریان آستانه برای هر دو فرم بازترکیب نشان خواهیم داد. نتایج حاکی از آناست که با افزایش اندازه قطبش جریان الکترونی تزریق شده و کاهش نسبت واهلش اسپینی بهنجار شده، کاهشچگالی جریان آستانه افزایش یافته و ماکزیمم مقدار آن برای بازترکیب خودبخودی خطی و درجه دوم به ازای قطبش جریان الکترونی تزریق شده برابر با 1 و نسبت واهلش اسپینی بهنجار شده برابر با صفر، 0.33 و 0.55 خواهد بود.

کلیدواژه ها:

لیزر چاه کوانتومی اسپینقطبیده ، معادلات نرخ

نویسندگان

سیده نسرین حسینی مطلق

گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه آزاد اسلامی واحد شیراز

هدا قویدل فرد

گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه پیام نورشیراز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • S. L. Chuang, Physics of Optoelectronic Devices, 2nd ed. (Wiley, ...
  • M. A. Parker, Physics of Optoelectron ics, (CRC, New York, ...
  • A. Das, J. Heo, M. Jankowski, W. Guo, L. Zhang, ...
  • M. Holub, J. Shin, and P. B hatt acharya , ...
  • J. Rudolph, S. Dohrmann, D. Hagele, M. Oestreich, and W. ...
  • S. F. Yu, Analysis and Design of Vertical Cavity Surface ...
  • J. Lee, w. _ Oszwaldowski, and I. Zutic, Spin modulation ...
  • J. Rudolph, D. Hagele, H. M. Gibbs, G. Khitrova, and ...
  • M. Holub and P. Bhattacharya, Spin-polarized light-emitting diodes and lasers, ...
  • C. _ Gathgen, Steady-state . analysis. of . semiconductor _ ...
  • J. Lee, R. Oszwa ldowski, C. Gathgen, and I. Zuti ...
  • EEx. rsmbal and I. Zuic; "Handbook of Spin Transport and ...
  • نمایش کامل مراجع