لیزر نیمه هادی پلیمرهای کاربید سیلیکون (6H-SiC، 3C-SiC and 4H-SiC6) : اثرات خودگرمایی
محل انتشار: سومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیرز ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,063
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOLE03_181
تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1392
چکیده مقاله:
در این مقاله تاثیر خود گرمایی روی مشخصات یک لیزر دیودی بررسی شده است. در این ساختار چاه کوانتوم 3C-SiC در میان لایه هایی از 6H-SiC به عنوان ناحیه های روکش قرار گرفته است که می تواند به دلیل ایجاد قطب الکتریکی در بلور ها بوسیله تغییر حرارت 6H به عنوان یک هترو ساختار نوع II و میدان الکتریکی درون ساخت با استفاده از شبیه ساز صنعتی تفسیر شود. مقاومت گرمایی برای مدل کردن اتصالات فلزی سبب افزایش دمایی در حدود 14.1 کلوین بالاتر از دمای محیط در ولتاژ بایاس 1.5 ولت می شود. همچنین، عوامل متفاوت منابع گرمایی درون ساختار بر اساس افزایش دمای شبکه شبیه سازی شده است. این مقاله نتایج مهمی از مشخصات وسیله با اساس دمای شبکه از جمله توان خروجی برحسب بایاس الکتریکی، جریان بر اساس ولتاژ و عوامل متفاوت منابع گرمایی را ارائه می دهد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
رباب مددی
گروه مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک، اراک، ایران
سعید مرجانی
گروه مهندسی برق، دانشگاه فردوسی مشهد، مشهد، ایران
رحیم فائز
گروه مهندسی برق ، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :