تأثیر میدان مغناطیسی و جنس لوله بر ته‌نشینی کربنات کلسیم (کلسیت)

هدف اصلی این کار، پژوهش و تحقیق درباره تأثیر جنس لوله بود که آباز طریق آن به شکل مغناطیسی در فرآیند ته‌نشینی کربنات کلسیم پاک‌سازی می‌شد. محلول‌های آزمایش شده در معرض یک میدان مغناطیسی MF T 0.16 به مدت 15 دقیقه با میزان‌اهی متفاوت جریان قرار می‌گرفتند. تأثیرات پاک‌سازی مغناطیسی آب و جنس لوله PTFE, Tygon, PVC, Copper و فولاد ضدزنگ بر فرآیند بلورسازی CaCO3 به وسیله یک آزمایشی ته‌نشینی بر مبنای روش تخلیه گاز CO2 حل شده ارزیابی شدند. مشخص شد که پاک‌سازی مغناطیسی MT بر بلورسازی کربنات کلسیم با افزایش کمیت ته‌نشینی کلی و نیز کمک به تشکیل آن در محلول حجم یا توده به جای پوسته و قشر روی دیوارها اثر می‌‌گذارد. این مورد برای هر نوع جنس لوله مورد استفاده مشاهده گردید اما این امر وابستگی بسیار زیادی به ویژگی‌های فیزیکی – شیمیایی آن‌ها دارد. مشخص شد که نسبت هایته نشینی کلی ومتجانس به شکل قابل توجهی تحت تأثیر قرار داشتند هنگامی که MF از طریق ماده (جنس) نارسانا به کار گرفته می‌شد. هم‌چنین آشکار گردید که سختی سطح برای سطح برای جنس لوله مشابه، نقشی مهم را در تأثیر MT بر بلورسازی CaCO3 ایفا می‌کندو. علاوه بر این مشخص شد که جنس لوله تأثیر بسیار زیادی بر فرآیند تشکیل هسته CaCO3 حتی در نبود MF دارا می‌باشد.