بررسی عملکرد فیلم های گرافنی تهیه شده از طریق روش رسوب دهی بخار شیمیایی و روش کاهش شیمیایی به منظور استفاده در سامانه های اپتوالکترونیکی

انفجاری قریب الوقوع در زمینه های تحقیقاتی مربوط به گرافن توجه بسیاری از محققین را به خود جلب کرده است. در نتیجه مطالعات و اکتشافات جدیدی درباره ی ترکیب، خصوصیات، چگونگی کنترل الکترونیکی و برنامه های کاربردی گرافن در مجامع علمی جوانه زده شد.گرافن یک ماده ی رسانای نسل جدید با ویژگی هایی از جمله مقاومت پایین ورقه، شفافیت نوری بالا و خواص مکانیکی بسیار عالی،پتانسیل جایگزینی برای الکترود هادی و رسانای قدیمی اکسید قلع ایندیوم در وسایل الکتریکی و نوری را دارا می باشد. تحقیقات و پژوهش های اخیر، توجه قابل ملاحظه ای به کاربرد گرافن به عنوان یک ماده ی الکتریکی در ترانزیستورها، دیودهای نورگسیل، سلول های خورشیدی و وسایل انعطاف پذیر دارند. در این مطالعه ساخت فیلم شفاف گرافن از طریق فرآیند رسوب دهی بخار شیمیایی (CVD) و کاهش شیمیایی مورد بررسی قرار گرفت. در روش شیمیایی پس از سنتز گرافن اکساید از پودر گرافیت،فیلم شفاف نانومتری روی زیر لایه شیشه از طریق فرآیند پوشش دهی چرخشی تشکیل شد و سپس توسط عوامل کاهنده ی هیدرازین و هیدرویدیک اسید کاهش یافت.همچنین در ادامه به مقایسه خواص فیلم های تهیه شده با بررسی پارامترهای مقاومت و عبورپذیری نور پرداخته خواهد شد.