بررسی بازده سلول خورشیدی لایه نازکCIGSدر مجاورت دو لایه اکسید هادی شفاف ولایه بافرZnO و SnO2

با توجه به درک جهانی ایجاد شده در زمینه استفاده از انرژی های تجدیدپذیر به عنوان منابع انرژی دائمی و پاک، انرژی فتوولتائی در کانون توجه بسیاری از مراکز تحقیقاتی قرار گرفته است. تحقیق و توسعه در مورد انرژی فتوولتائی عموماً در دو زمینه کاهش هزینه ها و افزایش بازده صورت می گیرد. سلولهای خورشیدی فیلم نازکCIGS در بین دیگر انواع سلولهای خورشیدی بازده بالاتری دارند. در این مقاله چند ساختارمتفاوت از سلول خورشیدی لایه نازکCIGSدر مجاورت دو لایه اکسید هادی شفاف مختلفZnO و SnO2و با استفاده از لایه بافرSnO2وZnOارائه می شود. با تغییر لایه اکسید هادی شفاف و لایه بافر ساختار سلول ، تأثیر این تغییر را بر خواص الکتریکی و عملکرد کلی سلول مورد ارزیابی قرار داده و با استفاده از ابزارهای شبیه سازی راندمان بهینه تعیین گردیده است. در یک ساختار متشکل از لایه هایSnO2 / CdS/CIGSبا استفاده از لایه اکسید هادی شفافSnO2 بازده 22,9113 % حاصل گردید. با افزودن لایه بافرSnO2بین لایه اکسید هادی شفاف و لایهCdSبه این ساختار بازده به 58,5022 % می رسد و در ادامه با افزایش مقدار دوپینگ دهنده لایهSnO2تا میزان 18e1بازده 63,5760%حاصل می شود که افزایش بازده به میزان 35,5909 % و 40,6647 % را به دنبال دارد. در صورت استفاده از لایه بافر اکسید زینکZnOبه عنوان بافر مابین لایهCdS و SnO2بازده 61,8874 % حاصل می گردد. . این ساختار نیز باعث افزایش بازده به میزان 38,9761 % می گردد در ساختار دیگر از لایه اکسید هادی شفافZnOاستفاده گردیده که بازده 64,7606 % به دست آمد