خواص نانوساختاری گیت دی الکتریک (La, Sr)C0O(3
محل انتشار: همایش الکترونیکی پژوهش های نوین در علوم و فناوری
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 866
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EMAA01_058
تاریخ نمایه سازی: 19 تیر 1394
چکیده مقاله:
در ترانزیستورهای فلز-اکسید- نیمه رسانای مکمل (CMOS) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب ترکیب (La, Sr)C0O(3 است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه (بستر) سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی که در جهت سنتز (La, Sr)C0O(3 به کار می روند را شرح داده و خواص نانوساختاری آن را به کمک تکنیک های پراش اشعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف پاشندگی انرژی اشعه ی ایکس و میکروسکوپ الکترونی عبوری مطالعه می کنیم. نتایج بدست آمده نشان می دهند که (La, Sr)C0O(3 (در دمای 700 درجه سانتیگراد ساختاری بی شکل دارد (می تواند به عنوان گیت دی الکتریک مناسبی برای ترانزیستور های فلز- اکسید-نیمه رسانای عایق (CMIS) باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مژده رویین فرد
دانشیار، گروه فیزیک حالت جامد، دانشگاه مازندران
علی رمضان نژاد
دانشیار، گروه فیزیک حالت جامد، دانشگاه مازندران
علی بهاری
دانشیار، گروه فیزیک حالت جامد، دانشگاه مازندران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :