تقویت کننده کم نویز با خاصیت خطی بالا برای کاربردهای 5 گیگاهرتز
محل انتشار: ششمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 869
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE06_275
تاریخ نمایه سازی: 1 مهر 1394
چکیده مقاله:
یک تکنیک خطی سازی برای تقویت کننده های کم نویز در تکنولوژی 0/18 مایکرون طراحی و شبیه سازی شده است. از قضیه ی مشتق جمع آثار یعنی روش (DS) و ویژگی هایی ترانزیستورهای MOS و BJT جهت پیشبرد خاصیت خطی بودن استفاده شده است. تقویت کننده کم نویز پیشنهادی نقطه ی تقاطع سوم (IIP3) بالا توسط دو ترانزیستور را به ما می دهد. ترانزیستور اصلی (FET) در ناحیه ی معکوس قوی بایاس شده در حالی که ترانزیستور کمکی (BJT) در ناحیه ی معکوس فعال بایاس شده است. یک ساختار Gurrent-Reused جهت افزایش بازده تقویت کننده کم نویز بدون افزایش توان مصرفی انتخاب شده است. تقویت کننده ی کم نویز طراحی شده بازده 14dB را نشان می دهد. همچنین عدد نویز 1/06dB در فرکانس 5 گیگا هرتز را شبیه سازی می کند. نقطه تقاطع سوم به مقدار 7dB و توان مصرفی به اندازه ی 4/85mW از یک منبع ولتاژ 0/95 ولتی نشان می دهد. تلفات برگشتی ورودی (S(11 و تلفات برگشت خروجی (S(22 شبیه سازی شده به ترتیب در مقدار 22.23dB- و 11.64dB- نگه داشته شده است. ایزولاسیون معکوس (S(12 بهتر از 24.28dB- می باشد.
کلیدواژه ها:
تقویت کننده کم نویز (LNA) ، فرکانس رادیویی ، روش مشتق جمع آثار ، نویز حرارتی ، روش استفاده ی مجدد از جریان
نویسندگان
سعید نوروزی مطلق
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک فسا
مسعود جباری
استادیار، گروه الکترونیک دانشگاه آزاد فسا
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :