تهیه واریستورهای لایه نازک بر پایه اکسید روی به روش تبخیر به وسیله بمباران الکترونی و مطالعه تاثیر دمای بازپخت بر خواص الکتریکی آنها
محل انتشار: اولین کنفرانس رشد بلور ایران
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 834
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BLUR01_003
تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394
چکیده مقاله:
در این پژوهش، لایه های نازکی از واریستورهای اکسید روی آلاییده با مجموعه ای از اکسیدهای Bi2o3 و Sb2O3 و Co3O4 و B2O3 و MnO2 به روش تبخیر به وسیله بمباران الکترونی، روی زیر لایه های سرامیکی تهیه، در دماهای مختلف باز پخت شده و برخی از خواص الکتریکی آنها از قبیل مشخصه I-V، ضریب خطی α و پدیده پسماند مورد مطالعه قرار گرفته است. در نهایت تبولر لایه های نازک از طریق الگوی پراش پرتو ایکس XRD بررسی شده است. نتایج نشان می دهند که پیش از باز پخت، لایه های نازک اکسید روی ، آمورف بوده و خواص اهمی دارند. و پس از آن بلوری شده و مشخصه غیر خطی از خود نشان می دهند. با تغییر دمای باز پخت، واریستورهای ویژیگی های متفاوت از خود بروز می دهند.
نویسندگان
حسن بیدادی
گروه فیزیک حالت جامد و الکترونیک،دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز
فرامرز هادیان
گروه فیزیک حالت جامد و الکترونیک،دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز
احمد صلواتی
گروه فیزیک حالت جامد و الکترونیک،دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز
ایران صیدی
گروه فیزیک حالت جامد و الکترونیک،دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :