رشد لایه های نازک اکسید قلع تهیه شده به روش تبخیر اشعه الکترونی

لایه های نازک اکسید قلع با استفاده از تبخیر اشعه الکترونی و فرض SnO2 خالص (99/99%) روی زیر لایه های شیشه با تغییرات ضخامت تهیه شده اند. لایه ها در دمای زیر لایه 280 درجه سانتیگراد و اهنگ انباشت 1/8A◦S ساخته شده و بعد از آن در محیط هوا در دمای 450 درجه سانتیگراد بمدت 3h تحت انیلینگ قرار گرفته اند خواص ساختاری اپتیکی و الکتریکی این لایه ها قبل و بعد از انیلیینگ بررسی شده است. خواص ساختاری توسط طیف سنج پراش اشعه X و طیف تراگسیل لایه ها و مقاومت سطحی آنها توسط طیف سنج با مدل Carry 100 و روش دو نقطه ای اندازه گیری شده است. تر÷اگسیل و مقاومت سطحی لایه ها قبل ار انیلینگ با افزایش ضخامت از 80nm به 480nm کاهش می یابد و بعد از انیلینگ تراگسیل از 83/3% به 14/2% و مقاومت از سطحی 130kΩ به 40kΩ بترتیب با افزایش ضخامت کاهش یافته است.