افزایش قابلیت جذب انرژی وریستورهای اکسیدروی باتغییرجهت زینترینگ

وریستورهای اکسیدروی سرامیک های نیمه رسانا میباشند که دارای خصوصیات الکتریکی غیرخطی هستند که ناشی ازمرز دانه ها و ریزساختاروریستوری آنها است دراین مقاله به مطالعه تاثیر جهت زینترینگ وریستورهای اکسید روی برروی خواص الکتریکی آنها می پردازیم تغییر جهت زینترینگ منجر به تغییر حفره های داخلی و غلظت دهنده ها درمرزدانه میگردد که موجب بهبود خواص الکتریکی و مکانیکی وریستوراکسیدروی درقسمت تحتانی آن می شود قابلیت اطمینان عملکرد وریستورهای اکسیدروی به شدت وابسته به قابلیت جذب انرژی وریستور می باشد با تغییر جهت زینترینگ وریستور قابلیت جذب انرژی آنها بهشدت افزایش می یابد پس ازاندازه گیری مشخصات الکتریکی مشاهده میگردد که بهترین مشخصات الکتریکی وریستور مربوط بهوریستورهایی با جهت زینترینگ افقی است چرا که وریستور دراین حالت به هنگام زینترینگ کمترین سطح تماس را بانگه دارنده خود دارد