طراحی یک تقویت کننده عملیاتی جدید برای کاربرد در مدارهای ولتاژ مرجع
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 552
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
STCONF01_015
تاریخ نمایه سازی: 27 بهمن 1394
چکیده مقاله:
یک قسمت مهم در طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ، طراحی و ساخت جریان ها ولتاژهای مرجع با مقادیر بخوبی تعریف شده می باشد. برای اینکه این کار بر روی تراشه و بصورت مجتمع انجام شود، معمولا از مدارهای مرجعی استفاده می شود که مدارهای مرجع گاف انرژی نامیده می شوند. این مدارها نیاز به تقویت کننده های عملیاتی با بهره ی بالا دارند تا بتوانند تغییرات دمایی بسیار پایینی داشته باشند. در این مقاله یک مدار جدید برای تقویت کننده ی عملیاتی پیشنهاد و ارائه می گردد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
امیررضا گائینی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات ساوه
مجید فولادیان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات ساوه
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :