Hydrogenation-assisted lateral micro-machining of (111) Silicon Wafers
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,885
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE16_346
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386
چکیده مقاله:
Micromachining of (111) silicon wafers by means of a plasma hydrogenation and chemical etching sequence is achieved. Vertical etching is used to define the depth of the craters as well as the thickness of the final suspended silicon body. After protecting the three-dimensional structure by a thermally-grown oxide, a hydrogenation step is used to remove the oxide layer from the bottom of the crater, allowing a lateral under-etching. Final exposure of processed silicon to a KOH solution laterally etches the silicon in the exposed places. A lateral aspect ratio of 4 to 6 has been achieved. The evolution of suspended structures on (111) wafers, suitable for sensor fabrication, is feasible without a need to a three-dimensional lithography.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Soheil Azimi
Thin Film Lab, ECE Dep University of Tehran
Sara Darbari
Thin Film Lab, ECE Dep University of Tehran
Shams Mohajerzadeh
Thin Film Lab, ECE Dep University of Tehran
Amir Sammak
Thin Film Lab, ECE Dep University of Tehran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :