ارائه ساختارهای بهینه برای مبدل های چندسطحی کاسکاد نامتقارن

مبدل های چندسطحی، قادر هستند ولتاژ های سینوسی با دامنه بالا را با استفاده از تعداد زیادی از منابع ولتاژ dc با دامنه کوچکتر تولید کنند. برای افزایش تعداد سطوح در ولتاژ خروجی، ساختار جدیدی در مراجع [2-1] با استفاده از اتصال سری چند طبقه مبدل چندسطحی پیشنهاد شده است. در روش پیشنهادی در این مراجع، با وجود مزایای آن نمی توان تمامی سطوح (فرد و زوج) را در ولتاژ خروجی به دست آورد. همچنین برای تولید ولتاژ خروجی با یک تعداد سطوح مشخص، می توان از آرایش های مختلفی با تعداد مختلف از طبقات و در نتیجه تعداد مختلف از قطعات استفاده کرد. در این مقاله، دو روش جدید برای تعیین اندازه منابع ولتاژ dc ارائه می شود که با این روش ها می توان تمامی سطوح اعم از فرد و زوج را در ولتاژ خروجی تولید کرد. همچنین برای تولید ولتاژ خر.وجی با یک تعداد سطوح مشخص با حداقل قیمت، ساختارهای بهینه با کم ترین تعداد منابع ولتاژ و کلیدهای دو طرفه ارائه شده است. نهایتا برای تایید مطالب تئوری ارائه شده، نتایج آزمایشگاهی برای یک مبدل 49 سطحی با حداکثر ولتاژ خروجی 200V ارائه شده است.