طراحی رگولاتور ولتاژ با افت کم بدون خازن خارجی با هدف بهبود ضریب حذف نویز منبع

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 738

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF03_1028

تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395

چکیده مقاله:

در این مقاله یک رگولاتور ولتاژ پایین با افت کم ( LDO) بدون خازن خارجی برای جبران سازی فرکانسی با کارایی ضریب حذف نویز منبع (PSR) بالا، طراحی و شبیه سازی شده است. از تکنیک های جداسازی قطب ها و افزایش ترانس کندوکتانس (gm) به ترتیب برای پایداری مدار و بهبود PSR استفاده شده است. شبیه سازی های صورت گرفته در این مقاله در تکنولوژی CMOS 0.18μm و با استفاده از نرم افزار HSPICE انجام شده اند. نتایج اندازه گیری شده با شبیه سازی نشان می دهد، با تغییر ولتاژ منبع تغذیه از 1/8 ولت تا 5 ولت یک ولتاژ ثابت و پایدار به مقدار 1/63 ولت در خروجی می دهد و LDO قادر است تا ماکزیمم جریان بار 100 میلی آمپر کار کند. ولتاژ افت در این طراحی 170 میلی ولت است. در فرکانس های پایین تا حدود 10 کیلوهرتز، مقدار PSR تقریبا 80- دسی بل و در فرکانس 1 مگاهرتز 50- دسی بل است.

کلیدواژه ها:

رگولاتور ولتاژ پایین با افت کم ، ضریب حذف نویز منبع ، جداسازی قطب ها و افزایش ترانس کندوکتانس

نویسندگان

محمد زایرچی رویس

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه شهید چمران اهواز

ابراهیم فرشیدی

دانشیار و عضو هیات علمی ، دانشگاه شهید چمران اهواز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Rincon-Mora G A, Allen P E. _ low-voltage, _ quiescent ...
  • multiplier in Miller- compens ated circuits".IEE J Solid-State Active:ه 2. ...
  • Leung K N, Mok P K T. _ capacitor-free CMOS ...
  • Gao Leisheng, Zhou Yumei, Wu Bin, et al. _ on-chip ...
  • Milliken R J, S ilva-Martiner J, S anchez- Sinencio E. ...
  • Filanovsky I M, Reja M, Ivanov V. :Structural design of ...
  • Zhou Qianneng, Wang Yongsheng, Lai Fengchang. _ capacitorfree CMOS LDO ...
  • El-Nozahi M, Amer A, Torres J, et al. "High PSR ...
  • Wong K, Evans D. _ 150 mA low noise, high ...
  • Lam Y, Ki W. _ 0.9 V 0.35 m adaptively ...
  • نمایش کامل مراجع