بهبود رسانای حرارتی و تمرکز منافذ در ترانزیستورهای اثر میدان گالیم آرسینیک روی عایق

این مقاله یک طرح جدیدی در ساختار ترانزیستورهای اثر میدان SOI MOSFET و می باشد. این ساختار با عنوان راه کاری مناسب باعث افزایش جریان درین، کاهش اثرات مخرب خود گرمایی Self Heating Effect و بهبود اثر بدنه شناور می شود. ایده اصلی در این ساختار نوین استفاده از ماده AlSb آلومینیوم انتیموان می باشد که دارای هدایت گرمایی بیشتری نسبت به دی اکسید سیلیسم SiO2 است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که این ساختار نوین باعث می شود که حرارت بیشتری به لایه های زیرین انتقال یابد و سب کاهش میزان دما و افزایش جریان درین در ترانزیستور می شود. همچنین تمرکز منافذ در کانال و زیر منبع در ساختار نوین نسبت به ساختار متداول کمتر می باشد که باعث بهبوداثر بدنه شناور می شود. به کمک شبیه سازی سیلواکو عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است.