آنالیز و شبیه سازی سه بعدی اثرات مکانیزم های پراکندگی الکترون - فونون در ترانزیستور های نانوسیمی
محل انتشار: یازدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,782
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE11_187
تاریخ نمایه سازی: 15 اسفند 1386
چکیده مقاله:
در این مقاله یک ترانزیستور نانو سیمی با طول کانال طویل به صورت سه بعدی شبیه سازی شده است. این شبیه سازی در دو مرحله ، محدوده بالستیک و درحضور اثرات متقابل الکترون – فونون برای تحلیل بهتر اثرات مکانیزم های پراکندگی الکترون – فونون در ترانزیستور های نانو سیمی انجام شده است. برای این شبیه سازی معادلات خود انرژی مکان فضایی با استفاده از تئوری دگردیسی و تقریب Born خودسازگار برای داخل شیارها و مکانیزم پراکندگی فونون داخل شیارها بدست آمده است. البته شایان ذکر است که در تابع گرین ناترازمند از تقریب های اثر جرم و hartree استفاده شده است. نتایج نشان می دهد که جریان درین، انتشار حالتهای چگالی محلی است و انرژی انتقالی از الکترونها در حضور اثرات الکترون – فونون نسبت به محدوده بالستیک کاهش می یابند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حسین عبداله
دانشگاه سمنان
علی اصغر اروجی
دانشگاه سمنان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :