طراحی یک تقویت کننده کلاس F با راندمان بالا
محل انتشار: دومین کنفرانس بین المللی علوم و مهندسی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 631
فایل این مقاله در 16 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICESCON02_146
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
چکیده مقاله:
اساس ساختمان تقویت کننده های توان قطعه فعال ( ترانزیستور ) است ، که نقش اصلی در تعیین قابلیت های تقویت کننده های توان از لحاظ توان خروجی ، بهره ، بازدهی ، خطسانی و پهنای باند را بازی می کند . تقویت کننده توان المان اصلی برای ساختن سیستم های ارتباطی بی سیم می باشد. تقویت کننده توان ، یک توان تغذیه DC را به یک مقدار خاصی از فرکانس رادیویی ( RF ) و یا توان مایکروویو تبدیل می کنند . تولید توان RF / مایکروویو نه تنها برای سیستم های انتقال بی سیم، بلکه برای برنامه های کاربردی مانند پخش کننده پارازیت ، تصویربرداری و گرمایش RF مورد نیاز است. در این پروژه از یک مدل آماده ترانزیستور GaAs-PHEMT با نام MRFG35010 ساخت شرکت MOTOROLA استفاده میکنیم . تقویت کننده توان پیشنهادی با استفاده از کلاس F در فرکانس مرکزی 2/14 گیگاهرتز با بازده 75/16 درصد طراحی شده است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
ریحانه کام روا
گروه برق ، واحد آشتیان ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان ، ایران
شعبان رضائی برجلو
گروه برق ، واحد آشتیان ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان ، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :