سلول های خورشیدی سیلیکونی با و بدون نانو تخلخل های سطحی
محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,527
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP14_037
تاریخ نمایه سازی: 22 اسفند 1386
چکیده مقاله:
ما در این مقاله داده های تجربی وابسته به مشخصه های I-V سلول های خورشیدی دو نمونه با سطوح متخلخل (عادی) را تحت شدت های تابشی (Pin) مختلف مورد بررسی قرار داده ایم. این داده ها حاکی ار آنند که چگالی جریان اتصال کوتاه: (1) همواره به ازای هر مقدارPin در نمونه متخلخل بزرگتر از نمونه عادی است، (2) با شدت تابش به طور خطی (Jsc=βPin) افزایش می یابد. محاسبات کمی نشان می دهد : مورد نخست می تواند نتیجه وابستگی مقاومت متوالی به شدت تابش و کوچکتر بوده این کمیت در قطعه متخلخل باشد و مورد دوم وابسته به میزان بازتابندگی نور در سطح نمونه هاست که به نوبه خود بر شیب (β) تاثیر می گذارد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
نسرین صالحی
دانشکده فیزیک،دانشگاه صنعتی شاهرود، میدان هفتم تیر، شاهرود؛ مرکز آم
حسین عشقی
دانشکده فیزیک،دانشگاه صنعتی شاهرود، میدان هفتم تیر، شاهرود
مرتضی ایزدی فرد
دانشکده فیزیک،دانشگاه صنعتی شاهرود، میدان هفتم تیر، شاهرود
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :