افزایش بازده سلول خورشیدی GaAsبا ساختار p-i-n از طریق ایجاد باند انرژی میانی توسط نقاط کوانتومیInAs در ناحیه ذاتی آن
محل انتشار: کنفرانس بین المللی مهندسی برق
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,044
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE01_388
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
چکیده مقاله:
امروزه سلول خورشیدی باند میانی نقطه کوانتومی رویکرد تعهد بیشترین افزایش بازده سلول خورشیدی را دارد. در این مقاله سلول خورشیدی GaAs مرجع برپایه سلول با ساختار p-i-n و نقاط کوانتومی InAs که در ناحیه ذاتی آن قرار داده شده است و ترکیب AlxGa1-xAs به منظور استفاده در لایه پنجره برای بازده بالا و ارزیابی کارائی با پارامترهای مختلف مطالعه شده است. به وسیله بهبود ساختار و مواد در سلول مرجع p-i-n به بازده 34.03% رسیدیم و در ساختار سلول خورشیدی مبتنی بر نقاط کوانتومی از طریق کنترل اندازه و مکان قرار گیری نقاط کوانتومی سلول خورشیدی GaAs باند میانی نقطه کوانتومی به افزایش بازده 55.58% دست یافتیم. در حقیقت، سلول خورشیدی باند میانی مبتنی بر نقاط کوانتومی بازدهی بیشتری را ارئه میکند.
کلیدواژه ها:
سلول خورشیدی نقطه کوانتومی ، باند میانی انرژی ، ساختار p-i-n ، افزایش بازده ، نانو مواد ، نقاط کوانتومی
نویسندگان
سیدسالار حسینی
کارشناسی ارشد مهندسی برق-الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات آذربایجانشرقی، تبریز، ایران
کریم عباسیان
دکترای مهندسی برق-الکترونیک، دانشکده مهندسی فناوریهای نوین دانشگاه تبریز، دانشگاه تبریز، تبریز، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :