شبیه سازی و بهبود عملکرد سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با استفاده از دو لایه جاذب
محل انتشار: کنفرانس بین المللی مهندسی برق
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 856
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE01_424
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله یک ساختار جدید برای سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با دو لایه جاذب که شامل یک لایه جاذب CIGS با گاف انرژی تدریجی و یک لایه جاذب CGSe با گاف انرژی ثابت (Eg=1.68 eV ) ارائه گردیده کلیه محاسبات و شبیه سازیهای این مقاله با استفاده از نرم افزار SCAPS-1D انجام گردیده است. محاسبات و شبیه سازیها نشان می دهند که با ساختار ارائه شده به طور کلی عملکرد سلول بهبود می یابد.ضخامتهای بهینه برای سلول محاسبه گردید به طوریکه در سلول خورشیدی دارای یک لایه پنجره ZnO با ضخامت 10nm و یک لایه بافرCdS با ضخامت 10nm و یک لایه جاذب CIGS با گاف انرژی تنظیم شده (Eg=1.1ev-1.65ev)با ضخامت 0.3 µmو یک لایه جاذب CGSe با گاف انرژی ثابت (Eg=1.68eV) و ضخامت 0.2µm ، به راندمان تبدیل η=24.95% وچگالی جریان اتصال کوتاه Jsc=41.13 mA/cm2و ولتاژ مدار باز Voc=0.763 V و F.F=79.46 % دست پیدا می کنیم. که نسبت به سلول خورشیدی لایه نازک CIGS متداول بهبود چشمگیری حاصل گردیده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محسن سجادنیا
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه شیراز
سجاد دهقانی
دانشکده فناوریهای نوین، دانشگاه شیراز
محمدحسین شیخی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه شیراز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :