طراحی ترانزیستور GaN HEMT با طول گیت 14 نانومتر
محل انتشار: کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی در علوم،مهندسی و فناوری با محوریت پژوھشھای نیاز محور
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,213
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICMRS01_234
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله ترانزیستور GaN HEMT با طول گیت 14 نانومتر شبیه سازی شده است. برای نانومتری کردن طول گیت به جای لایه سد متداول AlGaN از لایه سد InGaN که چگالی گاز الکترون دوبعدی بیشتری نسبت به AlGaN دارد، استفاده شده است. هم چنین این لایه از نظر ثابت شبکه با لایه GaN هم خوانی دارد و باعث حذف اثرات پیزوالکتریک و در نتیجه امکان نازک کردن لایه بدون افزایش تنش و استرس بین دولایه می شود. در این مقاله مشخصات AC ، DC و جریان نشتی گیت بررسی شده است. فرکانس قطع و ماکزیمم فرکانس نوسان به ترتیب برابر 450GHz و 1/09THz است. هر چند این ترانزیستور برای کاربردهای توان بالا بسیار مناسب است اما با توجه به اینکه ولتاژ آستانه این افزاره 5- ولت می باشد لذا این افزاره برای کاربردهای دیجیتال مناسب نیست و تنها در کاربردهای توان بالا می تواند مفید باشد. به منظور استفاده در حوزه دیجیتال باید به دنبال روش هایی برای کاهش ولتاژ آستانه و تبدیل این ترانزیستور از نرمال روشن به نرمال خاموش بود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محسن حق پناه
دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر
سیدغیاث الدین طباطبایی پور
دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر
علیرضا عرفانیان
دانشیار دانشکده برق و الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :