بررسی اثر تنش در انرژی هامیلتونی SOA با ساختار بالک

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 641

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICMRS01_245

تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1395

چکیده مقاله:

در این مقاله، یک مدل ساده برای محاسبه ویژه مقادیر و ویژه بردارهای دستگاه هامیلتونی با ساختار بالک و نیمه هادی InGaAsP بررسی شده است. برای توصیف دقیق سیستم، ساختار نوار حفره ها را با استفاده از هامیلتونی لوتینگر- کوهن در حضور تنش بررسی گردیده است. تنش باعث تغییرات در ساختار نواری می شود. تحت یک تنش مثبت نوار حفره های سنگین به بالای نوار حفره های سبک انتقال پیدا می کنند، مادامی که تحت تنش منفی رفتار سیستم کاملاً برعکس عمل می کند که این تغییرات محاسبه گردیده شده است.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده نوری نیمه هادی ، تنش ، جرم مولی ، هامیلتونی

نویسندگان

آرام قادری

گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد سنندج، دانشگاه آزاد اسلامی واحد سنندج، ایران

سیدمسعود علیزاده معصومیان

موسسه آموزش عالی اقبال لاهوری، مشهد، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • G. P. Agrawal and N. K. Dutta, "Long- Wavelength Semicondutor ...
  • Michael Connelly, "Wide-Band Steady-State Numerical Model and Parameter Extraction of ...
  • "Valence band engineering in strained-layer structures, " Sernicond Sct Technol, ...
  • Eoin P. O'Reilly and Alfred R. Adams, _ :B and-Structure ...
  • Sadao adachi, Physical Properties of III V semiconductor compounds InP, ...
  • SHUN LIEN CMUA.NG, physics of Optoelectronic Devices, 1st ed. USA: ...
  • نمایش کامل مراجع