ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

Construction GaN PMOS BaxLa1-xO3 EOT with silvaco software

محل انتشار: کنفرانس ملی الکترونیک،مکاترونیک و سیستم های هوشمند
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 633

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/522205

شناسه ملی سند علمی:

EMIS01_026

تاریخ نمایه سازی: 11 آبان 1395

چکیده مقاله:

In this paper, we have analyzed the electricalcharacteristic of a 22 nm gate length GaN PMOS device which uses a combination of high-k material and metal as the gate stack. The high-k material is Barium Lanthanumoxide (BaxLa1-xO3), while the metal gate is tungsten. Use of these oxides shows promising characteristics with GaNsuch as reduction in leakage current. The simulation part has been done using Athena and Atlas fromSilvacoTCAD.

کلیدواژه ها:

GaN ، high-k material ، leakage current ، Atlas ، Athena ، SilvacoTCAD

نویسندگان

Alireza Tavakkoli Kalatehno

Islamic Azad University of Neyshabur Branch

Hossein Nasiri Shahri

Islamic Azad University of mashhad Branch

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • " National Conference on Electronics, Mechatronics and Intelligent Systems ...
  • J. Ao, K. Nakatani, Y. Sogawa et al., Physica Status ...
  • H. Cho, K.P. Lee, B.P. Gila, C.R. Abernathy, Solid- State ...
  • N. Sing, W.W. Fang, Budharaju, S.H. Teo, ...
  • N. B a l a subramanium , D.L. Kwong, IEEE ...
  • K. Lee, C. Huang, J. Gong and C. Lee, IEEE ...
  • D.C. Suh, Y.D. Cho, S.W. Kim, D-H. Ko, Y . ...
  • R.G. Southwick, J. Reed, C. Buu, R. Butler, G. Bersuker, ...
  • J.F Conley, Y.Ono, and D.J. Tweet, ?Densificatio and improved electrical ...
    • نمایش کامل مراجع