مروری بر روش های ایجاد گاف انرژی در گرافن

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,781

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

AIHE10_159

تاریخ نمایه سازی: 5 بهمن 1395

چکیده مقاله:

گرافین یک بلور دوبعدی از اتمهای کربن است که در آن اتمهای کربن با اربیتالهای پیوندی SP یک چیدمان شش ضلعی را تشکیل داده اند ازاین رو گاف انرژی بین نوارهای انرژی هدایت و ظرفیت وجود ندارد عدم وجود گا در ساختار نوارهای انرژی باعث می شود الکترونها مانند فرمیونها، بدون جرم نسییتی رفتارکنند در چنین سیستمی امکان کنترل هدایت توسط اعمال ولتاژ گیت خارجی وجود دارد اما امکان قطع هدایت وجود ندارد بطور کلی مینای بیشتر کاربردهایالکترونیکی، وجود گا انرژی بین نوارهای هدایت و ظرفیت می باشد در نتیجه نمی توان از این ماده بطور مستقیم در طراحی ادوات کلیدزنی استفاده کرد بنابراینوجودیک شکا انرژی درگرافن ها،یکامرحیاتی بهحساب میآید،تاآنجاکه در کاربردهاینانوالکترونیک،نظیرترانزیستورهای نانوالکترونیکی نیازبه ایجادشکاف انرژی درگرافناست لذا در این مقاله مروری، سهروش اتصال محکم درگرافن الگوسازی شده،روش کاهش عرض نانوروبان گرافندی و روش مهندسی سرعت فرمی برای ایجاد شکا انرژی در گرافن را معرفی کرده و سپس به بررسی و تجزیه و تحلیل هرروش ازآنها میپردازیم نشان می دهیم که چگونه می توان با این روش ها،در گرافنی که فاقدشکا انرژی است ، شکا ایجاد کنیم

نویسندگان

جابر جوزایی سیویری

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، گروه مهندسی برق، موسسه آموزش عالی ایندگان، تنکابن،ایران

محمدکاظم انوری فرد

استادیار گروه علوم مهندسی، دانشکده فنی و مهندسی شرق گیلان، دانشگاه گیلان، رودسر- واجارگاه، ایران

فرشته پورآهنگریان

گروه مهندسی برق، موسسه آموزش عالی آیندگان، تنکابن،ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • ادی‌بهشت 1395, موسسم _ _ ای‌لنگ‌ان .تنک‌ان _ ...
  • Zhou S Y, Gweon G-H, Fedorov A V, First P ...
  • Hass J, Feng R, Li T, Li X, Zong Z, ...
  • Reich S, Maultzsch J, Thomsen C and Ordej on P ...
  • N. M. R. Peres, A. H. Castro Neto, and F. ...
  • Y.-W. Tan, Y. Zhang, H. L. Stormer, P. Kim, unpublished. ...
  • See, e.g. L. P. Kouwenhoven, C. M. Marcus, P. L. ...
  • Y.-W. Son, M. L. Cohen, S. G. Louie, Phys. Rev. ...
  • V. Barone, O. Hod, G. E. Scuseria, Nano Lett 6 ...
  • J. Gebhardt, R.J. Koch, W. Zhao, O. Hifert, K. Gotterbarm, ...
  • T.B. Martins, R.H. Miwa, A.J.R. da Silva, A. Fazzio, Electronic ...
  • H. Wang, T. Maiyalagan, X. Wang, Review On recent progress ...
  • V.M. Pereira, A.H. Castro Neto, Strain engineering of graphene's electronic ...
  • T. Low, F Guinea, M.I. Katsnelson, Gaps tunable by electrostatic ...
  • F. Guinea, Strain engineering in graphene, in: Exploring Graphene, Recent ...
  • N.M.R. Peres, Scattering in one-dimens ional heterostructure S described by ...
  • G. Giavaras, F. Nori, Graphene quantum dots formed by a ...
  • G. Giavaras, F. Nori, Dirac gap-induced graphene quantum dot in ...
  • G.M. Maksimova, E.S. Azarova, A.V. Telezhnikov, v.A. Burdov, Graphene super-lattice ...
  • M. Ramezani Masir, P. Vasilopoulos, A. Matulis, F.M. Peeters, Direction ...
  • S. Ghosh, M. Sharma, Electron optics with magnetic vector potential ...
  • M. Barbier, P. Vasilopoulos, F.M. Peeters, Dirac electrons in a ...
  • Berger C et al 2004 J. Phys. Chem. B ...
  • Son Y-W, Cohen M L and Louie S G 2006 ...
  • Ostrovsky P M, Gornyi I V and Mirlin A D ...
  • A. Raoux, M. Polini, R. Asgari, A.R. Hamilton, R. Fazio, ...
  • J.-H. Yuan, Z. Cheng, Q.-J. Zeng, J.-P. Zhang, J.-J. Zhang, ...
  • B.H.J. McKellar, G.J. Stephenson, Klein paradox and the D irac-Kroni ...
  • D.P. Arovas, L. Brey H.A. Fertig E.-A Kim, K. Ziegler, ...
  • نمایش کامل مراجع