طراحی گیت سه پارچه برای ترانزیستور اثرمیدانی آلی به منظور بهبود مشخصه جریان - ولتاژ

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 457

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

AIHE10_195

تاریخ نمایه سازی: 5 بهمن 1395

چکیده مقاله:

دراین مقاله یک ساختارجدید باپروفایل پنجره ای که برای ترانزیستوراورگانیکی پیشنهاد و شبیه سازی میگردد بعلاوه ساختار پیشنهادی دارای سه گیت می باشد که علاوه برداشتن جریان روشن بالاتر دارای سوئینگ بالاتر و ولتاژ استانه مناسبی می باشد نشان داده میشود که پروفایل پنجره پنجره ای درناخالصی باعث بهبودی قابل ملاحظه ای درعملکرد ترانزیستور اورگانیکی می گذارد ساختارپیشنهادی دارای یک گیت سه پارچه است بعلاوه دراین طرح ازیک پروفایل ناخالصی جدید بصورت پنجره پنجره استفاده کرده ایم محاسبه جریان نشان میدهد که استفاده ازیک ساختارگیت سه پارچه افزایش جریان حالت روشن کاهش ولتاژ استانه و کاهش سویینگ زیراستانه را به دنبال دارد همچنین پیش بینی میشود که خازن های پارازیتیک نسبت به حالتی که کل اکسید به صورت یکنواخت نازک میشود کاهش یافته و فرکانس قطع بالاتری می دهد

کلیدواژه ها:

ترانزیستورارگانیکی /ساختارسه گیتی /جریان درین /ولتاژ آستانه

نویسندگان

فاطمه پولادی

دانشکده مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحدبوشهر بوشهر ایران

زهیر کردرستمی

دانشکده مهندسی برق الکترونیک دانشگاه صنعتی شیراز شیراز ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • S. Mijalkovic, D. Green, A. Nejim, G. Whiting, A. Rankov, ...
  • W.D. Gill, :Drift Mobilities in Amorphous Charge Transfer Complexes of ...
  • G. Horowitz, "Organic Field-Effect Transistors", Advanced Materials, Vol. 10, No.5, ...
  • G. Horowitz, "Organic Field-Effect Transistors", Advanced Materials, Vol. 10 No.5, ...
  • Z. Bao and J. Locklin, eds., Organic Field-Effect Transistors, CRC ...
  • Horowitz, G., Hajlaoui, E., Hajlaoui, R. "Temperature and gate voltage ...
  • Erlen, C., Brunetti, F., Lugli, P., Fiebig, M., Schiefer, S., ...
  • analytical study of undoped symmetric double gate MOSFET (SDG)" International ...
  • Danicela Munteanu and Jean-Luc Autran "compact Modelling of Independent Double-Gate ...
  • T.S.Arun Samuel and N B .Balamurugan _ An Analytical Modeling ...
  • نمایش کامل مراجع