بررسی تاثیر تغییر ساختار و ناهمواری لبه های نوار گرافن بر روی مشخصه جریان - ولتاژ ترانزیستور اثر میدانی نوار گرافنی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 720
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF02_038
تاریخ نمایه سازی: 5 بهمن 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله ما قصد داریم با استفاده از شبیه سازی سه بعدی اتم های گرافن، نوار گرافنی میگویند که بر پایه حل سه بعدی معادله پواسون و شرودینگر با شرایط مرزی آزاد در تابع گرین در حالت نامتعادل می باشد . ما نشان خواهیم داد که ترانزیستورهای نوار گرافنی دارای عملکرد قابل مقایسه با ترانزیستورهای نانو لوله ای کربنی بوده، و تا حد زیادی تحت تاثیر عرض کانال و ناهمواری های لبه ها و همجنین ایاد تعییر شک در فاصله هوایی نوار گرافن می باشند .
کلیدواژه ها:
نوار گرافن ، نانو لوله کربنی ، ترانزیستور اثر میدانی نوار گرافنی ، ترانزیستور نانو لوله کربنی ، مشخصه انتقالی ، تابع نامتعادل گرین
نویسندگان
محمدعلی اسکندری
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر ، گروه برق الکترونیک ، بوشهر ، ایران
محمد عروتی نیا
دانشکده علمی کاربردی پست و مخابرات تهران، گروه برق الکترونیک، تهران، ایران
زهیر کردرستمی
دانشکده مهندسی برق و الکترنیک دانشگاه صنعتی شیراز، گروه برق الکترونیک ، شیراز ، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :