ترانزیستور اثر میدان تونلی برای کاربردهای توان پایین
محل انتشار: کنفرانس پژوهش های نوین در علوم و مهندسی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 904
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NRSECONF01_076
تاریخ نمایه سازی: 6 بهمن 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله ابتدا ساختار ترانزیستورهای اثر میدان تونلی 1 و انواع پیکربندیهای آن توضیح داده میشود. همچنین مروری بر پیکربندیهای متفاوتی که برای بهبود مشخصه این نوع از ترانزیستورها پیشنهاد دادهاند میشود. در ادامه نقشترانزیستورهای اثر میدان تونلی در ارتقاء عملکرد مدارهای آنالوگ و گیتهای منطقی بیان خواهد شد. سپس یک TFET نمونه با ساختار p-n-i-n توسط نرمافزار سیلواکو شبیهسازی خواهد شد و تاثیر تغییر طول کانال بر روی آن مورد بررسی قرار میگیرد. در پایان ایدههایی برای ادامه کار ارائه میشود
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمدرضا گرایلی
آموزشکده فنی و حرفه ای سما، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد سبزوار، سبزوار، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :