بررسی اثر جنس گیت بر مشخصه جریان - ولتاژ ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 516

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

DMECONF02_156

تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1395

چکیده مقاله:

در این مقاله ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای InAs با استفاده از مدل انتقال رانش نفوذ در محیط نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده است. اثر جنس گیت ترانزیستور بر مشخصه های جریان ولتاژ آن مورد بررسی قرار گرفته شده است. نتایج نشان می دهند که برای گیت از جنس مواد عنصری بیشترین اندازه جریان و رسانندگی مربوط به ژرمانیوم می باشد در صورتی که برای گیت از جنس مواد مرکب بهترین نتیجه مربوط به ماده GaN می باشد.

نویسندگان

غزال ذوالفقاری

گروه مهندسی برق - الکترونیک، پردیس علوم و تحقیقات دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران

حجت اله خواجه صالحانی

گروه مهندسی برق - الکترونیک، واحد دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ More Components _ _ ...
  • _ _ _ _ "High _ ...
  • _ _ _ _ _ in Si- ...
  • J.P.Colinge, "FinFETs and Other Multi-Gate Transistors", Springer, pp.8-13, 2008. ...
  • _ _ _ _ in the quantum- ...
  • _ _ _ J.Guo, A.Javey, "Ballistic InAs Nanowire Transistors", Nao ...
  • _ _ _ of Lund, _ ...
  • Silvaco, ATLAS User's Manual - device simulation software, 2013. ...
  • M. Sze, Semiconductor devices, physics and technology, 2nd ed, New ...
  • نمایش کامل مراجع