دروازه تنظیم پذیر پدیده ممریستور توسط مرز دانه در MoS2 تک لایه

ادامه پیشرفت در محاسبات با سرعت بالا بستگی به پیشرفت در هر دو ترکیب مواد و معماری دستگاه دارد . می توان عملکرد منطقی و حافظه را به طور قابل توجهی با معرفی یک ممریستور (مقاومت حافظه دار ) که یک دستگاه دو ترمیناله با مقاومت داخلی که بستگی به ولتاژ بایاس خارجی دارد مشخص کرد . حالتی از ساخت ممریستور ، براساس فلز - عایق- فلز (MIM)metal‐insulator‐metal سازه هایی با اکسید عایق مانند TiO2 است . در اینجا ، گزارش یک نوع ممریستور جدید بر اساس مرز دانه در دستگاه های تک لایه MoS2 را می دهد . به طور خاص، مقاومت مرز دانه در حال پیدایش از اتصال ها می تواند به راحتی و مکررا با نسبت سوئیچنگ بالا تقریبا 103 و مقاومت دیفرانسیل منفی پویا مدوله شود . در این کار ، ممریستور از فیلم های MoS2 تک لایه و رشد بر روی بسترهای اکسید سیلیسیم ( SiO2 و 300 نانومتر) توسط رسوب شیمیایی بخار (CVD)chemical vapor deposition گوگردزدایی از فیلم MoO3 ساخته شد .