خواص الکترونیکی الگوهای انباشت های متفاوت برای سیلیسن های خمیده زیاد و کم بر روی لایه ی MoS2

سطح واسط بین سیلیسن و لایه ی مواد نقش مهمی را در ویژگی های الکترونیکی سیستم ایفا می کند. ترکیب ( سنتز) سیلیسن بسیار خمیده (HB) با سطح حجیم MoS2 گزارش شده است. با استفاده از محاسبات اصول اولیه، سطوح مشترک لایه های سیلیسن و تک لایه ی MoS2 بررسی شد. متوجه شدیم که سیلیسن قادر به جذب لایه ی MoS2 به وسیله ی تبادلات van der Waals (vdW) است که دگر ساختارهای (heterostructures)HB و خمیده کم (LB) را شکل دهد. اختلاف شبکه ی بین سیلیسن LB و لایه ی MoS2 منجر به شکل گیری ابرساختار Moire می شود. دگرساختارهای سیلیسن HB بر روی لایه ی MoS2 فلزی هستند، در حالی که دگرساختار سیلیسن LB بر روی لایه ی MoS2 نیمه هادی هایی با شکاف نوار کوچکی به دلیل اثرات سطوح میانی است. شکاف نوار در جایی که انرژی شکل گیری وجود ندارد وابسته به زاویه ی چرخش و الگوی انباشت است. از قابلیت حمل و جا به جایی سلیسین LB در این ساختارها حفاظت شده است. به علاوه، شکاف نوار را می توان با اعمال یک میدان الکتریکی عمدی میزان کرد. این ویژگی ها برای ساخت تجهیزات الکترونیکی scale نشده به وسیله ی سلیسین مفید می باشند.