شبیه سازی و تحلیل بهره ترانزیستور نوری دوقطبی ناهمگون AlGaAs/GaAs HBT با ناخالصی بیس دلتا
محل انتشار: سومین کنگره بین المللی کامپیوتر، برق و مخابرات
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 725
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ITCC03_340
تاریخ نمایه سازی: 6 اردیبهشت 1396
چکیده مقاله:
تقاضا برای مدارهای مجتمع الکترونیکی نوری پرسرعت، تلفیق دیود نوری PIN در HBT را در مجموع این دستگاه راترانزیستور نوری دوقطبی ناهمگون نامیده می شود. ترانزیستور های نوری دوقطبی ناهمگون (HPT)، جایگزینی بسیارجالب برای دستگاه هایی مانند دیودهای PIN و دیودهای نوری بهمنی (APD) هستند. این ترانزیستورها موجب تقویت نوری زیاد در ولتاژ بایاس پایین و سطح نویز پایین می شود. فناوری آن با ترانزیستور دوقطبی ناهمگون (HBT) سازگاربوده و هر دوی این دستگاه ها به طور گسترده به عنوان پیش تقویت کنندهی دریافت کننده های نوری مدار دغام شده باالکترونیک نوری (OEIC) استفاده می شوند. علاوه بر این، استفاده از بیس با ناخالصی دلتا موجب بهره وری بالاتر تزریق )امیتر( و ولتاژ شکست پایین تر می شود. در این تحقیق شبیه سازی و تحلیل عملکرد یک ترانزیستور دوقطبی ناهمگون که به صورت آشکار ساز نوری سه پایه کاربرد دارد ارایه می گردد.
کلیدواژه ها:
ترانزیستور دوقطبی ناهمگون (HBT) ، دیودهای نوری (PIN)
نویسندگان
عباس قدیمی
گروه مهندسی برق، واحد لاهیجان، دانشگاه آزاد اسلامی، لاهیجان، ایران
ناصر امینی
گروه مهندسی برق، موسسه آموزش عالی مهرآستان، آستانه اشرفیه، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :